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Catégorie :Category: mViewer GX Creator App HP-Prime
Auteur Author: carlos carlos
Type : Application
Page(s) : 22
Taille Size: 1.72 Mo MB
Mis en ligne Uploaded: 12/01/2019 - 17:07:04
Mis à jour Updated: 12/01/2019 - 17:08:01
Uploadeur Uploader: carlos carlos (Profil)
Téléchargements Downloads: 22
Visibilité Visibility: Archive publique
Shortlink : http://ti-pla.net/a1902396

Description 

ELECTRÓNICA- 12 JUNIO 2018




GRUPO: ...... ...... ................................................................. .

1 APELLIDOS: ............................................... ......NOMBRE: .................... .

ATENCIÓN:
-Escribir con MAYÚSCULAS GRUPO, APELLIDOS Y NOMBRE
-NOTA MÍNIMA PARTE I {PROBLEMAS 1 Y 2) y PARTE 11 {PROBLEMAS 3,4 Y 5) UN 2 EN CADA, SIENDO
NECESARIO UN 2.5 DE MEDIA ENTRA LAS DOS PARTES.
-Leer con atención los enunciados en los primeros minutos del examen, las dudas sobre los enunciados se responderán en los
10 primeros minutos. Preguntar en voz alta. Sólo se responderán preguntas referentes a los enunciados, en ningún caso
sobre conceptos.
-Hay que resolver cada problema, pintando corrientes y todo lo que se necesita para su correcta realización,
JUSTIFICANDO LOS PASOS DADOS Y ESPECIFICANDO LAS HIPÓTEIS DE PARTIDA. No se puntuarán las
soluciones que no se correspondan con el circuito, ni soluciones que no se ajusten a las especificaciones que se piden.
-SE VALORA EL ORDEN Y RIGOR. SEPARAR ADECUADAMENTE CADA APARTADO.

PROBLEMA 1-(3 PUNTOS) Considerar el circuito con diodos de la Figura, formado por un
diodo Zener (Dz), con tensión de encendido en directa VF, y tensión en inversa VzK y un diodo
(D1) con tensión de encendido VF. (a) Indicar las regiones de funcionamiento del circuito en
función los valores de la señal de entrada v¡(t) y calcular analíticamente v0 (t)/v¡(t) por cada
región de funcionamiento. (b) Dibujar la curva característica de transferencia entre Vin(t) y Vou1(t).
(e) Dibujar vo(t) en función del tiempo para una señal de entrada triangular con excursión entre -
4V y +4V y un periodo T = 16 ms. DATOS: VF = 1 V, Vso = -3V y R = 1 kn.
Vf'VBD

R
+




PROBLEMA 2-(2 PUNTOS). Analizar el circuito en Figura 2. (a) Encontrar la expresión
analítica de la función de transferencia vo(t)/v¡(t) en el régimen transitorio. (b) Dibujar v0 (t) en
función del tiempo, sabiendo que V¡(t) es un escalón con amplitud +8V entre O ms y duración 10
ms, OV antes y después. R1 = 2-R, R2 = R, R= 10 kn y C = 0.5 µF .




PROBLEMA 3-(1 PUNTO). La función de transferencia de una etapa amplificadora en el
régimen sinusoidal permanente viene dada por la expresión que se da abajo. Dibujar los
diagramas de Bode (EN LAS HOJAS ADJUNTAS) de dicha función (magnitud y fase),
especificando claramente a qué término corresponde cada tramo y expresando claramente las
pendientes de las rectas y los cambios de pendientes. Utilizar los gráficos dados para el cálculo
y la representación. Especificar claramente las unidades en los ejes. Donde w 1 = 103 rad/s, w 2 =
106 rad/s.
ELECTRÓNICA- 12 JUNIO 2018




PROBLEMA 4-(2 PUNTOS) Para el circuito en figura y sabiendo que V ce = 15 V~-Jl = 800 k,
Re = 8 k, Re = 5k, RL = 8 k, ~ = 100, ll = 1, VT = 25 mV, VCE,sat = 0.3 V, (a) (0.75 puntos)
dibujar el circuito equivalente en polarización y calcular el punto de polarización, indicando las
tensiones (VE, Vs, Ve) y corrientes (IE, Is, le) de emisor, base y colector. (b) (0.25 puntos)
Calcular los parámetros del BJT en pequeña señal y dibujar el circuito equivalente en pequeña
señal, (e) (1 punto) calcular la ganancia de señal en tensión, Av= Voutlvin, y la resistencia de
entrada en pequeña señal, R;n = V¡n/i¡n,
Las capacidades C1, C2 y CE son elegidos tales que los condensadores actúen como circuitos
abiertos en polarización y cortos circuitos en pequeña señal.
v cc vcc


R


+
RL
vout

R


=



PROBLEMA 5-(2 PUNTOS) Sea el inversor MOSFET con carga MOSFET de la figura. (a)
Determinar
el punto de polarización de cada MOSFET (Io,VGs,Vos) y comprobar que están en la región de
corriente constante. (b) Encontrar la ganancia en tensión, Voutlvs sustituyendo cada MOSFET por
su modelo de pequeña señal, previo cálculo de sus transconductancias gm,


. 15V.

rl
y~ .
o
K~= ~.2 mAN1
· vTa = 3V ·
.




. }---o vOUT



+
VgsJ
S7 · K1= 1.6 mA/V~
VTR = 3V




- 5V
CQdc, cl,o~ ,ori vol+c.qe vffb,-a
@. eV ó,~c.tet v" = dv , f'a ~e .a
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