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Catégorie :Category: nCreator TI-Nspire
Auteur Author: salahhh93@hotmail.fr
Type : Classeur 3.0.1
Page(s) : 1
Taille Size: 2.63 Ko KB
Mis en ligne Uploaded: 16/02/2013 - 03:04:41
Uploadeur Uploader: salahhh93@hotmail.fr (Profil)
Téléchargements Downloads: 153
Visibilité Visibility: Archive publique
Shortlink : http://ti-pla.net/a11251
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Description
Fichier Nspire généré sur TI-Planet.org.
Compatible OS 3.0 et ultérieurs.
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Semi Conducteur Extrinseque L introduction dune quantité contrôlée dimpureté, dans un cristal semi conducteur, ne modifie pas lorganisation de la structure cristalline mère. Par contre les impuretés peuvent augmenter de façon importante le nombre de porteurs de charges mobiles par exemple en injectant une impureté pour 10^5 atomes, on multiplie la conductivité par 24 Il y a 2 types d impureté: les atomes donneurs d'e: atomes de la 15 ieme col de la class period ex: arsenic, phosphore, antimoine l impurete s integre au cristal mere en epousant sa structure, et offre au cristal la disponibilité de son 5 ieme e de valance. Les atomes accepteurs d'e: atome de la 13ieme col de la class per ex:Gallium Indium Ces impureté s installent aux cristal mere en epousant la structure et offre ainsi la disponibilité d un trou lier à l abscense du 4 ieme e de valence. 1)Semi-cond extri de type N ou Dopé N La présence dimpureté type n crée des niveaux dénergie de conduction électronique qui se situent à des valeurs inférieures à celle de la limite inférieure de la bande de conduction et supérieure à celles du niveau de Fermi du semi conducteur intrinsèque Le 5ème électron issu de lélément dopant est alors initialement sur un niveau dénergie très proche de celui de la bande de conduction. A température ambiante, lagitation thermique est suffisante, pour libérer tous les électrons supplémentaires des impuretés dans la bande de conduction Ainsi un semi conducteur dopé avec Nd impuretés cest à dire avec Nd atomes donneurs d'électrons,possède Nd électrons libre supplémentaires sans création de trou dans la bande de valence ³=³classique+³impurete avec ³impurete=Nd*e*¼n Nd:densité en atomes donneurs d'e n=nclassique+Nd n~Nd n*p=ni*pi donc p=ni*ni/n=(ni/Nd)*ni dans un semi cond dopé N les porteurs de charges libres sont les e tandis que les porteur de charge libre minoritaire sont les trous. 2)Sem cond dopé p l agitation thermique fait passer l'e de la couche de valence à celle introduite par l'atome accepteur d'e. Il y a ainsi recombinaison e trou. Par conséquent il y a creation de trou dans la BV sans creation d'e libre dans la BC. Il y aura autant de trou crée par ce phenomene qu il y a impurete introduite dans ce materiau ³=³classique+³impureté soit Na densité en atomes accepteurs d'e p=pclassique + Na comme Pclassique<<Na on a p=Na ni*pi=n*p conduit à n<<p les porteurs de charges libre majoritaiire sont les trous tandis qu les porteur de charge libre minoritaire sont les e. donc ³=³n+³p=³p=³impurete=Na*e*¼ p
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Compatible OS 3.0 et ultérieurs.
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Semi Conducteur Extrinseque L introduction dune quantité contrôlée dimpureté, dans un cristal semi conducteur, ne modifie pas lorganisation de la structure cristalline mère. Par contre les impuretés peuvent augmenter de façon importante le nombre de porteurs de charges mobiles par exemple en injectant une impureté pour 10^5 atomes, on multiplie la conductivité par 24 Il y a 2 types d impureté: les atomes donneurs d'e: atomes de la 15 ieme col de la class period ex: arsenic, phosphore, antimoine l impurete s integre au cristal mere en epousant sa structure, et offre au cristal la disponibilité de son 5 ieme e de valance. Les atomes accepteurs d'e: atome de la 13ieme col de la class per ex:Gallium Indium Ces impureté s installent aux cristal mere en epousant la structure et offre ainsi la disponibilité d un trou lier à l abscense du 4 ieme e de valence. 1)Semi-cond extri de type N ou Dopé N La présence dimpureté type n crée des niveaux dénergie de conduction électronique qui se situent à des valeurs inférieures à celle de la limite inférieure de la bande de conduction et supérieure à celles du niveau de Fermi du semi conducteur intrinsèque Le 5ème électron issu de lélément dopant est alors initialement sur un niveau dénergie très proche de celui de la bande de conduction. A température ambiante, lagitation thermique est suffisante, pour libérer tous les électrons supplémentaires des impuretés dans la bande de conduction Ainsi un semi conducteur dopé avec Nd impuretés cest à dire avec Nd atomes donneurs d'électrons,possède Nd électrons libre supplémentaires sans création de trou dans la bande de valence ³=³classique+³impurete avec ³impurete=Nd*e*¼n Nd:densité en atomes donneurs d'e n=nclassique+Nd n~Nd n*p=ni*pi donc p=ni*ni/n=(ni/Nd)*ni dans un semi cond dopé N les porteurs de charges libres sont les e tandis que les porteur de charge libre minoritaire sont les trous. 2)Sem cond dopé p l agitation thermique fait passer l'e de la couche de valence à celle introduite par l'atome accepteur d'e. Il y a ainsi recombinaison e trou. Par conséquent il y a creation de trou dans la BV sans creation d'e libre dans la BC. Il y aura autant de trou crée par ce phenomene qu il y a impurete introduite dans ce materiau ³=³classique+³impureté soit Na densité en atomes accepteurs d'e p=pclassique + Na comme Pclassique<<Na on a p=Na ni*pi=n*p conduit à n<<p les porteurs de charges libre majoritaiire sont les trous tandis qu les porteur de charge libre minoritaire sont les e. donc ³=³n+³p=³p=³impurete=Na*e*¼ p
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