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Catégorie :Category: nCreator TI-Nspire
Auteur Author: salahhh93@hotmail.fr
Type : Classeur 3.0.1
Page(s) : 1
Taille Size: 3.25 Ko KB
Mis en ligne Uploaded: 16/02/2013 - 02:00:56
Uploadeur Uploader: salahhh93@hotmail.fr (Profil)
Téléchargements Downloads: 441
Visibilité Visibility: Archive publique
Shortlink : http://ti-pla.net/a11249
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Description
Fichier Nspire généré sur TI-Planet.org.
Compatible OS 3.0 et ultérieurs.
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Rappels d electrocinetique 1) Notion de conduction Dans la pluspart des matériaux, la conduction est interprétée comme un déplacement d'electron libre et de trous chargés positivement. Les électrons libres sont les électrons de valence, c'est à dire les électrons des couches externes qui peuvent être mis en mouvement après apport d'énergie (par exemple par application d'un champ électrique aux bornes du matériel). En quittant sa position initiale, un électron libre laisse derrière lui un «trou» correspondant à une vacance d'électron. L'atome étant initialement neutre, un trou est donc chargé positivement, il pourra être comblé par un autre électron libre venu d'un atome voisin. Conséquence: le «trou» se déplace dans le sens opposé à celui de l'électron. 2) Conducteur soumis à un champ electrique E En l'absence d'un champ électrique E les électrons libres ont un mouvement aléatoire désordonné, mais leur répartition est globalement homogène. Lorsqu'on applique un champ électrique E au conducteur, les électrons, tout en continuant à avoir un mouvement désordonné du à l'agitation thermique, Vont avoir un mouvement d'ensemble opposé à E. Lors de leur déplacement les e sont soumis à une force de frottement du au choc qu'ils ont subi. Les e ne pourront pas depasser une certaine vitesse dite vitesse limite. Vlim=-(e/l)E on pose mn=e/l : la mobilité de l'e rq: l depend de la temp T donc mn depend de T 3)Conductivité g=1/r avec r la resistivité en W.m g la conductivité en S^(-1).m^-1 R=r*L/S avec L longueur du conducteur en m S section du conducter en m^2 g=mporteurdecharge*n*abs(q) n: densité de porteur de charge ou nbre de porteur de charge (m^-3) q charge du porteur suivant les valeurs de la conductivité, on classe les corps en 3 categories: - les conducteurs: faible resistivité qui croit lineairement avec la temp r=r0(1+aT) -les semi conducteurs: faible resistivité qui varie non linéairement avec la temp r=r0*exp(Eg/kT) k:constante de boltzmann Eg: NRJ de gap -les isoloants; corps ayant une tres forte resistivité 4)Modelisation energetique de ces 3 corps Les électrons se répartissent dans ce modèle sur des couches dite électronique, et sont liées au noyau avec une énergie quantifiée. Les électrons occupent donc le niveau d'énergie discret autorisé Bande de Valence: niveaux d'énergie possibles correspondants à un électron participant à une liaison covalente au sein du cristal Bande de conduction: niveaux d'énergie possibles correspondants à un électron libre (il s'agit d'un ancien électron de valence ayant acquis suffisamment d'énergie pour participer au phénomène de conduction) Bande interdite: bande située entre les bandes de valences et de conductions elle correspond au niveau d'énergie de l'électron interdit par la mécanique quantique. Il faut donc fournir impérativement assez d'énergie a l'électron de valence pour franchir ce «fossé» appelé gap. Dans un semi conducteur il y a moins d'électrons mobiles que dans un conducteur, du fait de la borne interdite, d'ou une moins bonne conduction. La borne interdite étant étroite, son franchissement est possible par simple agitation thermique. Les semi conducteurs sont faiblement conducteur à temperature ordinaire. Pour un isolant, l'NRJ necessaire à la transition de l'e de la BV à la BC est tres importante qu elle setruirait le corps.
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Compatible OS 3.0 et ultérieurs.
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Rappels d electrocinetique 1) Notion de conduction Dans la pluspart des matériaux, la conduction est interprétée comme un déplacement d'electron libre et de trous chargés positivement. Les électrons libres sont les électrons de valence, c'est à dire les électrons des couches externes qui peuvent être mis en mouvement après apport d'énergie (par exemple par application d'un champ électrique aux bornes du matériel). En quittant sa position initiale, un électron libre laisse derrière lui un «trou» correspondant à une vacance d'électron. L'atome étant initialement neutre, un trou est donc chargé positivement, il pourra être comblé par un autre électron libre venu d'un atome voisin. Conséquence: le «trou» se déplace dans le sens opposé à celui de l'électron. 2) Conducteur soumis à un champ electrique E En l'absence d'un champ électrique E les électrons libres ont un mouvement aléatoire désordonné, mais leur répartition est globalement homogène. Lorsqu'on applique un champ électrique E au conducteur, les électrons, tout en continuant à avoir un mouvement désordonné du à l'agitation thermique, Vont avoir un mouvement d'ensemble opposé à E. Lors de leur déplacement les e sont soumis à une force de frottement du au choc qu'ils ont subi. Les e ne pourront pas depasser une certaine vitesse dite vitesse limite. Vlim=-(e/l)E on pose mn=e/l : la mobilité de l'e rq: l depend de la temp T donc mn depend de T 3)Conductivité g=1/r avec r la resistivité en W.m g la conductivité en S^(-1).m^-1 R=r*L/S avec L longueur du conducteur en m S section du conducter en m^2 g=mporteurdecharge*n*abs(q) n: densité de porteur de charge ou nbre de porteur de charge (m^-3) q charge du porteur suivant les valeurs de la conductivité, on classe les corps en 3 categories: - les conducteurs: faible resistivité qui croit lineairement avec la temp r=r0(1+aT) -les semi conducteurs: faible resistivité qui varie non linéairement avec la temp r=r0*exp(Eg/kT) k:constante de boltzmann Eg: NRJ de gap -les isoloants; corps ayant une tres forte resistivité 4)Modelisation energetique de ces 3 corps Les électrons se répartissent dans ce modèle sur des couches dite électronique, et sont liées au noyau avec une énergie quantifiée. Les électrons occupent donc le niveau d'énergie discret autorisé Bande de Valence: niveaux d'énergie possibles correspondants à un électron participant à une liaison covalente au sein du cristal Bande de conduction: niveaux d'énergie possibles correspondants à un électron libre (il s'agit d'un ancien électron de valence ayant acquis suffisamment d'énergie pour participer au phénomène de conduction) Bande interdite: bande située entre les bandes de valences et de conductions elle correspond au niveau d'énergie de l'électron interdit par la mécanique quantique. Il faut donc fournir impérativement assez d'énergie a l'électron de valence pour franchir ce «fossé» appelé gap. Dans un semi conducteur il y a moins d'électrons mobiles que dans un conducteur, du fait de la borne interdite, d'ou une moins bonne conduction. La borne interdite étant étroite, son franchissement est possible par simple agitation thermique. Les semi conducteurs sont faiblement conducteur à temperature ordinaire. Pour un isolant, l'NRJ necessaire à la transition de l'e de la BV à la BC est tres importante qu elle setruirait le corps.
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